檢索結果：共31筆資料 檢索策略： "周賢鎧".ccommittee (精準) and cdept.raw="化學工程系"
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氧化銦鍚(indium tin oxide, ITO)在可見光範圍具有量好的導電性及透光性，因此在光學元件上常利用ITO來增加載子的傳導與收集。以單晶矽太陽能電池為例，除了可以做為透明導電層之外，還…
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本論文乃以發展高效率矽鍺複合晶片太陽能電池製作技術為主題，考量矽晶材料所無法吸收的紅外光波波段，在矽晶之背面串聯鍺晶來吸收此波段能量，最終模式希望製作成的矽晶/鍺晶之異質接合太陽電池，以求達…
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本論文乃以未來世代高效矽晶太陽能電池的技術發展為議題，針對矽 晶以及鍺晶可能製作矽、鍺異質接合，分別以射頻電漿輔助化學氣相沉積法將氫化非晶矽及氫化非晶鍺薄膜沉積於鍺晶及矽晶上，以反射式電子高能…
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本研究係以超高頻電漿輔助化學氣相沉積系統(VHF-PECVD)製備本質氫化非晶矽膜層用於鈍化單晶矽基材，研究重點之一為與射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備氫化非晶矽膜層來作比較外，…
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本研究乃以四甲基矽烷（TMS）、氨氣、氫氣為原料氣體的內熱式低壓化學氣相沈積系統，藉由碳化矽/氮化矽複合膜沉積於石墨基材上，作為石墨與碳化矽覆膜間的熱應力緩和傾斜層。利用在氫氣氣氛下控制原料TMS對…
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本研究為在低溫製程下試圖將非晶矽轉換成多晶矽，多晶矽薄膜的形成方式眾多，直接沉積型的有化學氣相沉積法，或是再結晶型的包含固相結晶法、準分子雷射在結晶法、鋁誘發法等等，但大多都需要搭配高溫的製程。為了…
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本研究係在以較大面積(20×20 cm2)之射頻電漿輔助化學氣相沉積系統中，通入矽甲烷原料以不同製程條件於單晶矽表面沉積氫化非晶矽形成異質接合結構。研究重點在探究在此一沉積系統中氫化晶矽的鍍…
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本論文分為兩個部分，第一部分目的在探討使用共濺鍍氣相沉積法製備碳化矽薄膜。不同於高溫(1600℃)化學氣相沉積法製備碳化矽薄膜，本研究之重點在於利用矽合金靶材和碳靶在相對低溫的下以不同射頻電漿製程參…
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在矽晶太陽電池中晶片表面鈍化及抗光反射為重要的關鍵技術。本研究以原子層沉積法沉積氧化鋁薄膜於矽晶片表面上作為鈍化之使用。首先以電漿輔助原子層沉積系統及熱原子層沉積系統製備氧化鋁薄膜，研究重點為探討氧…
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首先利用溶膠-凝膠法製備氧化矽散射層，藉改變氨水濃度、乙醇比例、分散劑劑量等氧化矽膠體合成條件，探討製備出的氧化矽球體散射層表面形態及其透光特性。實驗結果顯示，當控制氧化矽粒徑為400 nm、分…